Λεπτομέρειες:
|
Όνομα προϊόντων: | Κρυσταλλολυχνία μετατροπής υψηλής συχνότητας | πρότυπο: | AP7H03DF |
---|---|---|---|
Πακέτο: | DFN3*3-8L | Χαρακτηρισμός: | AP7H03DF XXX YYYY |
Τάση VDSDrain-πηγής: | 30V | VGSGate-Sou rce Voltage: | ±20A |
Υψηλό φως: | mosfet καναλιών ν κρυσταλλολυχνία,κρυσταλλολυχνία υψηλής τάσης |
Υψηλή συχνότητα κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων καναλιών MOS AP7H03DF 7A 30V DFN33 Ν
Περιγραφή κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων καναλιών MOS Ν:
Το AP7H03DF είναι η τάφρος υψηλότερης απόδοσης
MOSFETs ν-CH με την ακραία υψηλή πυκνότητα κυττάρων,
όποιοι παρέχουν την άριστη δαπάνη RDSON και πυλών
για την μεγαλύτερη μέρος της μικρής μετατροπής δύναμης και
εφαρμογές διακοπτών φορτίων. Συναντήστε το RoHS και
Απαίτηση προϊόντων με την πλήρους λειτουργίας αξιοπιστία εγκεκριμένη.
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων καναλιών MOS Ν
VDS = 30V ταυτότητα = 7A
RDS (ΕΠΆΝΩ) < 18m="">
RDS (ΕΠΆΝΩ) < 30m="">
Λεπτομέρειες
Η κρυσταλλολυχνία επίδρασης τομέων MOS χρησιμοποιείται σε πολλές παροχή ηλεκτρικού ρεύματος και γενικές εφαρμογές δύναμης, ειδικά ως διακόπτες. Το διάφορο s περιλαμβάνει επίπεδα MOSFETs, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs και άλλα διαφορετικά εμπορικά σήματα.
Συσκευασία που χαρακτηρίζει και που διατάζει τις πληροφορίες
Ταυτότητα προϊόντων | Πακέτο | Χαρακτηρισμός | Qty (PC) |
AP7H03DF | DFN3*3-8L | AP7H03DF XXX YYYY | 5000 |
Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις (TA =25℃unless που σημειώνεται ειδάλλως)
Σύμβολο | Παράμετρος | Εκτίμηση | Μονάδες |
Β DS | Τάση αγωγός-πηγής | 30 | Β |
Β GS | Rce τάση πύλη-Sou | ±20 | Β |
Ταυτότητα @TC=25 ℃ | Συνεχές ρεύμα αγωγών, Β GS @ 10V 1 | 7 | Α |
Ταυτότητα @TC=100 ℃ | Συνεχές ρεύμα αγωγών, Β GS @ 10V 1 | 5 | Α |
Ταυτότητα @TA=25 ℃ | Συνεχές ρεύμα αγωγών, Β GS @ 10V 1 | 6.4 | Α |
Ταυτότητα @TA=70 ℃ | Συνεχές ρεύμα αγωγών, Β GS @ 10V 1 | 6 | Α |
IDM | Παλόμενο ρεύμα 2 αγωγών | 56 | Α |
EAS | Ενιαία ενέργεια 3 χιονοστιβάδων σφυγμού | 22.1 | MJ |
IAS | Ρεύμα χιονοστιβάδων | 21 | Α |
Π ΤΟ D@TC =25 ℃ | Συνολικός διασκεδασμός 4 δύναμης | 20.8 | W |
Π ΤΟ D@TA =25 ℃ | Συνολικός διασκεδασμός 4 δύναμης | 1.67 | W |
TSTG | Σειρά θερμοκρασίας αποθήκευσης | -55 έως 150 | ℃ |
TJ | Λειτουργούσα σειρά θερμοκρασίας συνδέσεων | -55 έως 150 | ℃ |
RθJA | Θερμική αντίσταση σύνδεση-περιβαλλοντικό 1 | 75 | ℃/W |
RθJC | Θερμική σύνδεση-περίπτωση 1 αντίστασης | 6 | ℃/W |
Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά (TJ =25 ℃, εκτός αν αναφέρεται διαφορετικά)
Σύμβολο | Παράμετρος | Όροι | Ελάχιστος. | Τύπος. | Max. | Μονάδα |
BV DSS | Τάση διακοπής αγωγός-πηγής | Β GS=0V, Ι D=250uA | 30 | - | - | Β |
△BV DSS/△TJ | Συντελεστής θερμοκρασίας BVDSS | Αναφορά σε 25 ℃, ID=1mA | - | 0,022 | - | V/℃ |
RDS (ΕΠΆΝΩ) |
Στατική -αντίσταση 2 αγωγός-πηγής |
Β GS=10V, ID=10A | - | - | 18 |
mΩ |
Β GS=4.5V, ID=5A | - | - | 30 | |||
Β GS (θόριο) | Τάση κατώτατων ορίων πυλών | Β GS=V DS, ΤΑΥΤΌΤΗΤΑ =250UA | 1.0 | - | 2.5 | Β |
△VGS (θόριο) | Β συντελεστής θερμοκρασίας GS (θόριο) | - | -5.1 | - | mV/℃ | |
IDSS | Ρεύμα διαρροής αγωγός-πηγής | Β DS=24V, Β GS=0V, TJ =25 ℃ | - | - | 1 | UA |
Β DS=24V, Β GS=0V, TJ =55 ℃ | - | - | 5 | |||
IGSS | Ρεύμα διαρροής πύλη-πηγής | Β GS = ±20V, Β DS=0V | - | - | ±100 | NA |
gfs | Μπροστινό Transconductance | Β DS=5V, ID=10A | - | 4.5 | - | S |
Rg | Αντίσταση πυλών | Β DS=0V, Β GS=0V, F=1MHZ | - | 2.5 | - | Ω |
Qg | Συνολική δαπάνη πυλών (4.5V) | - | 7.2 | - | ||
Qgs | Δαπάνη πύλη-πηγής | - | 1.4 | - | ||
Qgd | Δαπάνη πύλη-αγωγών | - | 2.2 | - | ||
TD (επάνω) | Διεγερτικός χρόνος καθυστέρησης |
Β DD=12V, Β GS=10V, RG=3.3 ID=5A |
- | 4.1 | - |
NS |
TR | ||||||
TD (μακριά) | Χρόνος καθυστέρησης διακοπών | - | 15.5 | - | ||
TF | Χρόνος πτώσης | - | 6.0 | - | ||
Ciss | Ικανότητα εισαγωγής | - | 572 | - | ||
Coss | Ικανότητα παραγωγής | - | 81 | - | ||
Crss | Αντίστροφη ικανότητα μεταφοράς | - | 65 | - | ||
ΕΙΝΑΙ | Συνεχές ρεύμα 1,5 πηγής | Β G=V D=0V, αναγκάζει το ρεύμα | - | - | 28 | Α |
ΙΣΜΌΣ | Παλόμενο ρεύμα 2,5 πηγής | - | - | 56 | Α | |
Β SD | Μπροστινή τάση 2 διόδων | Β GS=0V, Ι S=1A, TJ =25 ℃ | - | - | 1.2 | Β |
Σύμβολο | Παράμετρος | Όροι | Ελάχιστος. | Τύπος. | Max. | Μονάδα |
BV DSS | Τάση διακοπής αγωγός-πηγής | Β GS=0V, Ι D=250uA | 30 | - | - | Β |
△BV DSS/△TJ | Συντελεστής θερμοκρασίας BVDSS | Αναφορά σε 25 ℃, ID=1mA | - | 0,022 | - | V/℃ |
RDS (ΕΠΆΝΩ) |
Στατική -αντίσταση 2 αγωγός-πηγής |
Β GS=10V, ID=10A | - | - | 18 |
mΩ |
Β GS=4.5V, ID=5A | - | - | 30 | |||
Β GS (θόριο) | Τάση κατώτατων ορίων πυλών | Β GS=V DS, ΤΑΥΤΌΤΗΤΑ =250UA | 1.0 | - | 2.5 | Β |
△VGS (θόριο) | Β συντελεστής θερμοκρασίας GS (θόριο) | - | -5.1 | - | mV/℃ | |
IDSS | Ρεύμα διαρροής αγωγός-πηγής | Β DS=24V, Β GS=0V, TJ =25 ℃ | - | - | 1 | UA |
Β DS=24V, Β GS=0V, TJ =55 ℃ | - | - | 5 | |||
IGSS | Ρεύμα διαρροής πύλη-πηγής | Β GS = ±20V, Β DS=0V | - | - | ±100 | NA |
gfs | Μπροστινό Transconductance | Β DS=5V, ID=10A | - | 4.5 | - | S |
Rg | Αντίσταση πυλών | Β DS=0V, Β GS=0V, F=1MHZ | - | 2.5 | - | Ω |
Qg | Συνολική δαπάνη πυλών (4.5V) | - | 7.2 | - | ||
Qgs | Δαπάνη πύλη-πηγής | - | 1.4 | - | ||
Qgd | Δαπάνη πύλη-αγωγών | - | 2.2 | - | ||
TD (επάνω) | Διεγερτικός χρόνος καθυστέρησης |
Β DD=12V, Β GS=10V, RG=3.3 ID=5A |
- | 4.1 | - |
NS |
TR | ||||||
TD (μακριά) | Χρόνος καθυστέρησης διακοπών | - | 15.5 | - | ||
TF | Χρόνος πτώσης | - | 6.0 | - | ||
Ciss | Ικανότητα εισαγωγής | - | 572 | - | ||
Coss | Ικανότητα παραγωγής | - | 81 | - | ||
Crss | Αντίστροφη ικανότητα μεταφοράς | - | 65 | - | ||
ΕΙΝΑΙ | Συνεχές ρεύμα 1,5 πηγής | Β G=V D=0V, αναγκάζει το ρεύμα | - | - | 28 | Α |
ΙΣΜΌΣ | Παλόμενο ρεύμα 2,5 πηγής | - | - | 56 | Α | |
Β SD | Μπροστινή τάση 2 διόδων | Β GS=0V, Ι S=1A, TJ =25 ℃ | - | - | 1.2 | Β |
Σημείωση:
1.The στοιχεία που εξετάζονται από την επιφάνεια που τοποθετείται στην ίντσα FR-4 Α1 τον πίνακα με το χαλκό 2OZ.
2.The στοιχεία που εξετάζονται από παλόμενος, πλάτος σφυγμού ≦ 300us, κύκλος καθήκοντος ≦ 2%
το στοιχείο 3.The EAS παρουσιάζει μέγιστη εκτίμηση. Ο όρος δοκιμής είναι Β DD =25V, VGS=10V, L=0.1mH, IAS=21A
4.The ο διασκεδασμός δύναμης περιορίζεται από τη θερμοκρασία συνδέσεων 150℃
5.The το στοιχείο είναι θεωρητικά το ίδιο με το Ι Δ και το DM Ι, στις πραγματικές εφαρμογές, πρέπει να περιοριστεί από το συνολικό διασκεδασμό δύναμης.
Προσοχή
1, οποιαδήποτε και όλα τα προϊόντα μικροηλεκτρονικής APM που περιγράφονται ή που περιλαμβάνονται εν τω παρόντι δεν έχουν τις προδιαγραφές που μπορούν να χειριστούν τις εφαρμογές που απαιτούν εξαιρετικά τα υψηλά επίπεδα της αξιοπιστίας, όπως τα συστήματα εντατικής θεραπείας, aircraft τα συστήματα ελέγχου, ή άλλες εφαρμογές η των οποίων αποτυχία μπορεί να αναμένεται εύλογα για να οδηγήσει στη σοβαρή φυσική ή/και υλική ζημία. Συσκεφτείτε με αντιπροσωπευτικό κοντινότερο μικροηλεκτρονικής APM σας εσείς πρίν χρησιμοποιεί οποιαδήποτε προϊόντα μικροηλεκτρονικής APM που περιγράφονται ή που περιλαμβάνονται εν τω παρόντι σε τέτοιες εφαρμογές.
2, μικροηλεκτρονική APM δεν αναλαμβάνουν καμία ευθύνη για τις αποτυχίες εξοπλισμού ότι αποτέλεσμα από τη χρησιμοποίηση των προϊόντων στις τιμές που υπερβαίνουν, ακόμα και προς στιγμήν, τις εκτιμημένες τιμές (όπως οι μέγιστες εκτιμήσεις, οι σειρές λειτουργούντος όρου, ή άλλες παράμετροι) που απαριθμούνται στις προδιαγραφές προϊόντων οποιεσδήποτε και όλα τα προϊόντα μικροηλεκτρονικής APM που περιγράφονται ή που περιλαμβάνονται εν τω παρόντι.
1, οι προδιαγραφές οποιεσδήποτε και όλα τα προϊόντα μικροηλεκτρονικής APM περιέγραψαν ή περιείχαν εδώ instipulate την απόδοση, τα χαρακτηριστικά, και τις λειτουργίες των περιγεγραμμένων προϊόντων στη ανεξάρτητη πολιτεία, και δεν είναι εγγυήσεις της απόδοσης, των χαρακτηριστικών, και των λειτουργιών των περιγεγραμμένων προϊόντων όπως τοποθετούνται στα προϊόντα ή τον εξοπλισμό του πελάτη. Για να ελέγξει τα συμπτώματα και τα κράτη που δεν μπορούν να αξιολογηθούν σε μια ανεξάρτητη συσκευή, ο πελάτης πρέπει πάντα να αξιολογήσει και να εξετάσει τις συσκευές που τοποθετούνται στα προϊόντα ή τον εξοπλισμό του πελάτη.
2, Co. ημιαγωγών μικροηλεκτρονικής APM, ΕΠΕ προσπαθούν να παρέχουν υψηλό - προϊόντα ποιοτικής υψηλά αξιοπιστίας. Εντούτοις, οποιαδήποτε και όλα τα προϊόντα ημιαγωγών αποτυγχάνουν με κάποια πιθανότητα. Είναι δυνατό ότι αυτές οι πιθανολογικές αποτυχίες θα μπορούσαν να δώσουν αφορμή για τα ατυχήματα ή τα γεγονότα που θα μπορούσαν να διακινδυνεψουν τις ανθρώπινες ζωές που θα μπορούσαν να δώσουν αφορμή για τον καπνό ή την πυρκαγιά, ή που θα μπορούσαν να προκαλέσουν τη ζημία σε άλλη ιδιοκτησία. Ο εξοπλισμός Whendesigning, υιοθετεί τα μέτρα ασφαλείας έτσι ώστε αυτά τα είδη ατυχημάτων ή γεγονότων δεν μπορούν να εμφανιστούν. Τέτοια μέτρα περιλαμβάνουν αλλά δεν περιορίζονται στα προστατευτικά κυκλώματα και τα κυκλώματα πρόληψης λάθους για το ασφαλές σχέδιο, το περιττό σχέδιο, και το δομικό σχέδιο.
3, σε περίπτωση που οποιαδήποτε ή όλα τα προϊόντα μικροηλεκτρονικής APM (συμπεριλαμβανομένων των τεχνικών στοιχείων, των υπηρεσιών) που περιγράφονται ή που περιλαμβάνονται εν τω παρόντι ελέγχονται βάσει οποιωνδήποτε από τους εφαρμόσιμους τοπικούς νόμους και τους κανονισμούς ελέγχου εξαγωγών, τέτοια προϊόντα δεν πρέπει να εξαχθούν χωρίς λήψη της άδειας εξαγωγής από τις σχετικές αρχές σύμφωνα με τον ανωτέρω νόμο.
4, κανένα μέρος αυτής της δημοσίευσης μπορούν να αναπαραχθούν ή να διαβιβαστούν με οποιαδήποτε μορφή ή με κάθε μέσο, ηλεκτρονικός ή μηχανικός, συμπεριλαμβανομένης της φωτοαντιγραφής και της καταγραφής, ή οποιουδήποτε αποθήκευσης πληροφοριών ή συστήματος ανάκτησης, ή ειδάλλως, χωρίς την προγενέστερη γραπτή άδεια της Co. ημιαγωγών μικροηλεκτρονικής APM, του ΕΠΕ.
5, πληροφορίες (συμπεριλαμβανομένων των διαγραμμάτων κυκλώματος και των παραμέτρων κυκλωμάτων) εν τω παρόντι είναι παραδείγματος χάριν μόνο δεν είναι εγγυημένο για την παραγωγή όγκου. Η μικροηλεκτρονική APM θεωρεί ότι οι πληροφορίες είναι εν τω παρόντι εξακριβωμένες και αξιόπιστες, αλλά καμία εγγύηση δεν γίνεται ή υπονοείται σχετικά με τη χρήση της ή οποιεσδήποτε παραβάσεις των δικαιωμάτων πνευματικής ιδιοκτησίας ή άλλων δικαιωμάτων των τρίτων.
, Οποιεσδήποτε και όλες οι πληροφορίες που περιγράφονται ή που περιλαμβάνονται εν τω παρόντι υπόκεινται στην αλλαγή που οφείλεται χωρίς προειδοποίηση στο προϊόν/τη βελτίωση τεχνολογίας, κ.λπ. Κατά τη σχεδιασμό του εξοπλισμού, αναφερθείτε στη «προδιαγραφή παράδοσης» για το προϊόν μικροηλεκτρονικής APM που σκοπεύετε να χρησιμοποιήσετε
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: David